ZnO/ZnMgO Hetero-MISFETにおけるゲート絶縁膜の検討と特性評価

国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3500463

資料種別: 記事

著者: 早藤剛生ほか

出版者: 大阪工業大学

出版年: 2008-02-29

資料形態: デジタル

掲載誌名: 大阪工業大学紀要 : 理工篇 52(2)

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: ZnO/ZnMgO Hetero-MISFETにおけるゲート絶縁膜の検討と特性評価
著者・編者: 早藤剛生
小池一歩
佐々誠彦
出版事項: 日本 : 大阪工業大学
出版年月日等: 2008-02-29
出版年（W3CDTF）: 2008-02-29
数量: 容量 : 03hayafuji.pdf(406079bytes)
並列タイトル等: Gate insulator dependences of ZnO/ZnMgO hetero-MISFET characteristics
タイトル（掲載誌）: 大阪工業大学紀要 : 理工篇
巻号年月日等（掲載誌）: 52(2)
掲載巻: 52(2)
本文の言語コード: jpn
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3500463
https://dl.ndl.go.jp/pid/3500463
コレクション（共通）: 障害者向け資料
コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 私立大学
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00041
収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
受理日（W3CDTF）: 2012-06-21T00:56:10+09:00
保存日（W3CDTF）: 2010-04-06
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
遠隔複写可否（NDL）: 不可
掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/998284/www.oit.ac.jp/japanese/toshokan/tosho/kiyou/rikouhen/52-2/index.html
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3500460
https://dl.ndl.go.jp/pid/3500460
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp