AlGaN混晶半導体における局在励起子分子

• 資料種別: 記事
• タイトル: AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
• 著者・編者: 中村恒三; 室谷英彰; 山田陽一
• 出版事項: 日本 : 山口大学
• 出版年月日等: 2005-10
• 出版年（W3CDTF）: 2005-10
• 並列タイトル等: Localized biexcitons in AlGaN ternary alloy semiconductors
• タイトル（掲載誌）: 山口大学工学部研究報告
• 巻号年月日等（掲載誌）: 56(1)
• 掲載巻: 56(1)
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/8771744; https://dl.ndl.go.jp/pid/8771744
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 国立大学; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00031
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2014-10-14T21:38:02+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2008-08-05
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/282311/memoirs.lib-e.yamaguchi-u.ac.jp/561/
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/8771740; https://dl.ndl.go.jp/pid/8771740
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp