図書

シリコン窒化膜の$\gamma$線照射による電子-正孔対発生量評価およびMNOS構造の電荷捕獲現象の解析 (JAERI-Research JAERI-RESEARCH-95-090)

図書を表すアイコン

シリコン窒化膜の$\gamma$線照射による電子-正孔対発生量評価およびMNOS構造の電荷捕獲現象の解析

(JAERI-Research JAERI-RESEARCH-95-090)

資料種別
図書
著者
大西 一功//高橋 芳浩//小松 茂//吉川 正人
出版者
日本原子力研究所(ニホン ゲンシリョク ケンキュウショ)
出版年
1996.
資料形態
ページ数・大きさ等
46
NDC
-
すべて見る

書店で探す

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
図書
著者・編者
大西 一功//高橋 芳浩//小松 茂//吉川 正人
シリーズタイトル
出版年月日等
1996.
出版年(W3CDTF)
1996
数量
46
出版地(国名コード)
ja