NITROGEN PASSIVATION OF THE INTERFACE STATES NEAR THE CONDUCTION BAND EDGE OF 4H-SILICON CARBIDE (P01 P01-109714)

NITROGEN PASSIVATION OF THE INTERFACE STATES NEAR THE CONDUCTION BAND EDGE OF 4H-SILICON CARBIDE

(P01 P01-109714)

資料種別: 図書

著者: WILLIAMS, J.R

出版者: -

出版年: 2001.

資料形態: 紙

ページ数・大きさ等: 12

NDC: -

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資料種別: 図書
タイトル: NITROGEN PASSIVATION OF THE INTERFACE STATES NEAR THE CONDUCTION BAND EDGE OF 4H-SILICON CARBIDE
著者・編者: WILLIAMS, J.R
シリーズタイトル: P01 P01-109714
著者標目: WILLIAMS, J.R
出版年月日等: 2001.
出版年（W3CDTF）: 2001
数量: 12
本文の言語コード: |d
対象利用者: 一般
連携機関・データベース: 日本原子力研究開発機構 : 日本原子力研究開発機構所蔵目録データベース

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