SLOW POSITRON DEFECT PROFILING OF SILICON EPILAYERS (BNL ; BNL-43482)

SLOW POSITRON DEFECT PROFILING OF SILICON EPILAYERS

(BNL ; BNL-43482)

著者: TANDBERG, E.// SCHULTZ, P.J.//JACKMAN, T.E.//DENHOFF, M.W.//AERS, G.C.//LYNN, K.G.// NIELSEN, B. (BROOKHAVEN NATIONAL LAB., UPTON, NY (USA))

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資料種別: 図書
タイトル: SLOW POSITRON DEFECT PROFILING OF SILICON EPILAYERS
著者・編者: TANDBERG, E.// SCHULTZ, P.J.//JACKMAN, T.E.//DENHOFF, M.W.//AERS, G.C.//LYNN, K.G.// NIELSEN, B. (BROOKHAVEN NATIONAL LAB., UPTON, NY (USA))
シリーズタイトル: BNL ; BNL-43482
著者標目: TANDBERG, E.
SCHULTZ, P.J.
JACKMAN, T.E.
DENHOFF, M.W.
AERS, G.C.
LYNN, K.G.
NIELSEN, B.
出版事項: Brookhaven National Laboratory(Brookhaven National Laboratory)
出版年月日等: 1988.
出版年（W3CDTF）: 1988
数量: 4
出版地（国名コード）: us
本文の言語コード: eng
対象利用者: 一般
連携機関・データベース: 日本原子力研究開発機構 : 日本原子力研究開発機構所蔵目録データベース
https://library-documents.jaea.go.jp/opac/opac_search/