VARIATION DES PARAMETRES ELECTRIQUES D'UNE TECHNOLOGIE CMOS/SOS A DEPLETION PROFONDE APRES IRRADIATION GAMMA JUSQU'A 3 M RADS (SI). (CEA-CONF ; CEA-CONF-6125)

VARIATION DES PARAMETRES ELECTRIQUES D'UNE TECHNOLOGIE CMOS/SOS A DEPLETION PROFONDE APRES IRRADIATION GAMMA JUSQU'A 3 M RADS (SI).

(CEA-CONF ; CEA-CONF-6125)

資料種別: 図書

著者: LERAY, J.L.(et al.)

出版者: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives(Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

出版年: 1981.

資料形態: 紙

ページ数・大きさ等: 4

NDC: -

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資料種別: 図書
タイトル: VARIATION DES PARAMETRES ELECTRIQUES D'UNE TECHNOLOGIE CMOS/SOS A DEPLETION PROFONDE APRES IRRADIATION GAMMA JUSQU'A 3 M RADS (SI).
著者・編者: LERAY, J.L.(et al.)
シリーズタイトル: CEA-CONF ; CEA-CONF-6125
著者標目: LERAY, J.L.
出版事項: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives(Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
出版年月日等: 1981.
出版年（W3CDTF）: 1981
数量: 4
出版地（国名コード）: fr
本文の言語コード: eng
対象利用者: 一般
連携機関・データベース: 日本原子力研究開発機構 : 日本原子力研究開発機構所蔵目録データベース
https://library-documents.jaea.go.jp/opac/opac_search/