A procedure for the fabrication of high-sensitivity dosimetric silicon diodes (CS PATENT APPLICATION ; CS PATENT APPLICATION PV 3953-87.D)

A procedure for the fabrication of high-sensitivity dosimetric silicon diodes

(CS PATENT APPLICATION ; CS PATENT APPLICATION PV 3953-87.D)

出版者: Service Central de Protection contre les Rayonnements Ionisants, 78 - Le Vesinet (France)(Service Central de Protection contre les Rayonnements Ionisants, 78 - Le Vesinet (France))

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資料種別: 図書
タイトル: A procedure for the fabrication of high-sensitivity dosimetric silicon diodes
シリーズタイトル: CS PATENT APPLICATION ; CS PATENT APPLICATION PV 3953-87.D
著者標目: Kits, J.
Latal, F.
Obraz, O.
Sopko, B.
出版事項: Service Central de Protection contre les Rayonnements Ionisants, 78 - Le Vesinet (France)(Service Central de Protection contre les Rayonnements Ionisants, 78 - Le Vesinet (France))
出版年月日等: 1989.
出版年（W3CDTF）: 1989
数量: 2 p.
出版地（国名コード）: cs
本文の言語コード: cze
対象利用者: 一般
連携機関・データベース: 日本原子力研究開発機構 : 日本原子力研究開発機構所蔵目録データベース
https://library-documents.jaea.go.jp/opac/opac_search/