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Si薄膜中のOの定量について (INS-T ; INS-T-491)

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Si薄膜中のOの定量について

(INS-T ; INS-T-491)

資料種別
図書
著者
菅井 勲、野中 到
出版者
東京大学原子核研究所(トウキョウ ダイガク ゲンシカク ケンキュウジョ)
出版年
1990.
資料形態
ページ数・大きさ等
30
NDC
-
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資料種別
図書
著者・編者
菅井 勲、野中 到
シリーズタイトル
出版年月日等
1990.
出版年(W3CDTF)
1990
数量
30
出版地(国名コード)
ja