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シリコン窒化膜のγ線照射による電子-正孔対発生量評価およびMNOS構造の電荷捕獲現象の解析 (JAERI-Research ; 95-090)

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シリコン窒化膜のγ線照射による電子-正孔対発生量評価およびMNOS構造の電荷捕獲現象の解析

(JAERI-Research ; 95-090)

資料種別
図書
著者
大西 一功 [ほか]
出版者
日本原子力研究所
出版年
1996.
資料形態
ページ数・大きさ等
46 p.
NDC
-
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資料種別
図書
著者・編者
大西 一功 [ほか]
シリーズタイトル
出版年月日等
1996.
出版年(W3CDTF)
1996
数量
46 p.
出版地(国名コード)
ja