ELECTRONIC PRORERTIES OF SI-DOPED N-DOPING-INTRINSIC-P-DOPING- INTRINSIC (NIPI) STRUCTURES IN GAAS (SAND ; SAND-91-0586C)

ELECTRONIC PRORERTIES OF SI-DOPED N-DOPING-INTRINSIC-P-DOPING- INTRINSIC (NIPI) STRUCTURES IN GAAS

(SAND ; SAND-91-0586C)

著者: FONG, C.Y.// GALLUP, R.F.// NELSON, J.S. (SANDIA NATIONAL LABS., ALBUQUERQUE, NM (USA))

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資料種別: 図書
タイトル: ELECTRONIC PRORERTIES OF SI-DOPED N-DOPING-INTRINSIC-P-DOPING- INTRINSIC (NIPI) STRUCTURES IN GAAS
著者・編者: FONG, C.Y.// GALLUP, R.F.// NELSON, J.S. (SANDIA NATIONAL LABS., ALBUQUERQUE, NM (USA))
シリーズタイトル: SAND ; SAND-91-0586C
著者標目: FONG, C.Y.
GALLUP, R.F.
NELSON, J.S.
出版事項: Sandia National Laboratories(Sandia National Laboratories)
出版年月日等: 1990.
出版年（W3CDTF）: 1990
数量: 10
出版地（国名コード）: us
本文の言語コード: eng
対象利用者: 一般
連携機関・データベース: 日本原子力研究開発機構 : 日本原子力研究開発機構所蔵目録データベース
https://library-documents.jaea.go.jp/opac/opac_search/