Hall-effect and photoluminescence microscopy studies of dislocation formation in strained-layer epitaxy of InGaAs/GaAs (SAND ; SAND-88-1437C; CONF-8809152-3; DE89001373)

Hall-effect and photoluminescence microscopy studies of dislocation formation in strained-layer epitaxy of InGaAs/GaAs

(SAND ; SAND-88-1437C; CONF-8809152-3; DE89001373)

資料種別: 図書

著者: Fritz, I.J., Gourley, P.L., Dawson, L.R.

出版者: Sandia National Labs.

出版年: 1988.1.

資料形態: 紙

ページ数・大きさ等: 7p

NDC: -

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資料種別: 図書
タイトル: Hall-effect and photoluminescence microscopy studies of dislocation formation in strained-layer epitaxy of InGaAs/GaAs
著者・編者: Fritz, I.J., Gourley, P.L., Dawson, L.R.
シリーズタイトル: SAND ; SAND-88-1437C; CONF-8809152-3; DE89001373
著者標目: Fritz, I.J.
Gourley, P.L.
Dawson, L.R.
出版事項: Albuquerque, NM (USA) : Sandia National Labs.
出版年月日等: 1988.1.
出版年（W3CDTF）: 1988
数量: 7p
出版地（国名コード）: us
本文の言語コード: eng
対象利用者: 一般
連携機関・データベース: 日本原子力研究開発機構 : 日本原子力研究開発機構所蔵目録データベース
https://library-documents.jaea.go.jp/opac/opac_search/