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半導体GaNの基礎と応用 : パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術 (薄膜・表面物理セミナー ; 第47回)

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半導体GaNの基礎と応用 : パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術

(薄膜・表面物理セミナー ; 第47回)

資料種別
図書
著者
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会[編]
出版者
-
出版年
2019
資料形態
ページ数・大きさ等
50 p.; ; 30 cm
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

2019年7月26日 於 : 東京理科大学 森戸記念館 第一フォーラム

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資料種別
図書
著者・編者
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会[編]
出版年(W3CDTF)
2019
数量
50 p.;
大きさ
30 cm
出版地(国名コード)
ja
本文の言語コード
jpn