Degradation mechanism of AlGaAs/GaAs laser diodes grown on Si substrates

• 資料種別: 記事
• タイトル: Degradation mechanism of AlGaAs/GaAs laser diodes grown on Si substrates
• 著者標目: 江川, 孝志 エガワ, タカシ; Hasegawa, Y.; Jimbo, Takashi; Umeno, Masayoshi
• 出版年月日等: 1995-11-13
• 出版年（W3CDTF）: 1995-11-13
• タイトル（掲載誌）: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 巻号年月日等（掲載誌）: 67 20
• 掲載巻: 67
• 掲載号: 20
• 掲載ページ: 2995-2997
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1995-11-13
• ISSN（掲載誌）: 00036951
• 出版事項（掲載誌）: American Institute of Physics
• 本文の言語コード: en
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.114930
• 関連情報（URI）: https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4379; https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/67/20/2995/18515100/2995_1_online.pdf
• 参照: Photoreflectance Study on the Effect of Lattice Defects in InP on (001) Si.; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390001206248654848; AlGaAs/GaAs Laser Diodes with GaAs Islands Active Regions on Si Grown by Droplet Epitaxy.; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681225543168; Suppression of (100) Dark-Line Defect Growth in AlGaAs/InGaAs Single Quantum Well Lasers Grown on Si Substrates.; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681226279936; Simulation of Three-Dimensional Stress in GaAs Microchannel Epitaxy Layer on Si Substrates; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681241098624
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: 学術機関リポジトリデータベース; https://irdb.nii.ac.jp; Crossref; https://www.crossref.org; CiNii Articles
• NII論文ID: 120006666879

• 要約等: We have studied the rapid degradation of the AlGaAs/GaAs single quantum well laser diodes on Si substrates grown by metalorganic chemical vapor deposi...