The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon 400-33

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The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon 400-33

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資料種別: 図書
タイトル: The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n-type silicon
巻次・部編番号: 400-33
著者・編者: Sheng S. Li
著者標目: Li, Sheng S.
出版事項: U.S. G.P.O.
出版年月日等: 1977
出版年（W3CDTF）: 1977
大きさ: 26 cm
出版地（国名コード）: us
本文の言語コード: en
件名標目: Silicon -- Electric properties
Semiconductor doping
Electron mobility
Electric resistance
LCC: QC100
QC611.8.S5
対象利用者: 一般
一般注記: Includes bibliographical references
関連情報: NBS special publication
https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282271896361216
関連情報（URI）: https://ci.nii.ac.jp/ncid/BB18757485#entity
https://lccn.loc.gov/76608381
https://catalog.hathitrust.org/Record/006865958
掲載誌: NBS special publication
https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282271896361216
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research
提供元機関・データベース: CiNii Books
https://ci.nii.ac.jp/books
NACSIS書誌ID（NCID）: https://ci.nii.ac.jp/ncid/BB18757485 : BB18757485
LC control number: 76608381
https://lccn.loc.gov/76608381