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超高真空 STM In-Situ 観察による半導体清浄表面のイオン, ラジカル効果

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超高真空 STM In-Situ 観察による半導体清浄表面のイオン, ラジカル効果

資料種別
図書
著者
研究代表者 村山 洋一
出版者
村山洋一, 1996.3
出版年
1996
資料形態
ページ数・大きさ等
30cm
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

書名は表紙による課題番号 06452122

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資料種別
図書
タイトルよみ
チョウ コウシンクウ STM In-Situ カンサツ ニヨル ハンドウタイ セイジョウ ヒョウメン ノ イオン, ラジカル コウカ
著者・編者
研究代表者 村山 洋一
著者標目
出版年(W3CDTF)
1996
大きさ
30cm
出版地(国名コード)
ja
本文の言語コード
ja