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原子ステップ制御エピタキシー法によるSiC純正結晶製作とパワーデバイスへの応用

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原子ステップ制御エピタキシー法によるSiC純正結晶製作とパワーデバイスへの応用

資料種別
図書
著者
松波弘之研究代表
出版者
[松波弘之]
出版年
1992.3
資料形態
ページ数・大きさ等
26cm
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

京都大学工学部電気工学第二教室

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資料種別
図書
タイトルよみ
ゲンシ ステップ セイギョ エピタキシーホウ ニヨル SiC ジュンセイ ケッショウ セイサク ト パワー デバイス エノ オウヨウ
著者・編者
松波弘之研究代表
著者標目
松波, 弘之 マツナミ, ヒロユキ
京都大学大学院工学研究科 キョウト ダイガク ダイガクイン コウガク ケンキュウカ
出版事項
出版年月日等
1992.3
出版年(W3CDTF)
1992
大きさ
26cm
並列タイトル等
平成3年度科学研究費補助金試験研究(B)(2)研究成果報告書 : 課題番号 02555059