A BASIC program for calculating dopant density profiles from capacitance-voltage data 400-11

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A BASIC program for calculating dopant density profiles from capacitance-voltage data 400-11

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資料種別: 図書
タイトル: A BASIC program for calculating dopant density profiles from capacitance-voltage data
巻次・部編番号: 400-11
著者・編者: Richard L. Mattis and Martin G. Buehler
著者標目: Mattis, Richard L.
Buehler, Martin G.
出版事項: U.S. G.P.O.
出版年月日等: 1975
出版年（W3CDTF）: 1975
大きさ: 26 cm
出版地（国名コード）: us
本文の言語コード: en
件名標目: Ion implantation -- Data processing
Diodes, Semiconductor -- Data processing
Electric measurements -- Data processing
BASIC (Computer program language)
LCC: QC100
TK7871.85
対象利用者: 一般
一般注記: Includes bibliographical references
関連情報: NBS special publication
https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282271896361216
関連情報（URI）: https://ci.nii.ac.jp/ncid/BA73255163#entity
https://lccn.loc.gov/75619089
https://catalog.hathitrust.org/Record/003909524
掲載誌: NBS special publication
https://cir.nii.ac.jp/crid/1130282271896361216
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research
提供元機関・データベース: CiNii Books
https://ci.nii.ac.jp/books
NACSIS書誌ID（NCID）: https://ci.nii.ac.jp/ncid/BA73255163 : BA73255163
LC control number: 75619089
https://lccn.loc.gov/75619089