GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer
• 著者標目: M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; G. C. Chi; J. M. Tsai
• 出版年月日等: 2003-04-28
• 出版年（W3CDTF）: 2003-04-28
• タイトル（掲載誌）: Applied Physics Letters
• 巻号年月日等（掲載誌）: 82 17
• 掲載巻: 82
• 掲載号: 17
• 掲載ページ: 2913-2915
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2003-04-28
• ISSN（掲載誌）: 00036951
• 出版事項（掲載誌）: AIP Publishing
• 件名標目: Physics and Astronomy (miscellaneous)
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.1570519
• 作成日（W3CDTF）: 2003-04-25
• 関連情報（URI）: https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/82/17/2913/18577691/2913_1_online.pdf
• 参照: Ga-Doped ZnO/GaN Schottky Barrier UV Band-Pass Photodetector with a Low-Temperature-Grown GaN Cap Layer; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360566396808770944; Barrier-Height-Enhanced n-GaN Schottky Photodiodes Using a Thin p-GaN Surface Layer; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390001206264362496
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>By using organometallic vapor phase epitaxy, we have prepared i-GaN/low-temperature (LT) GaN/Ni/Au (sample A) and i-GaN/Ni/Au (sample B) Schot...