Resistivity of boron and phosphorus doped polycrystalline Si1−<i>x</i>Ge<i>x</i> films

• 資料種別: 記事
• タイトル: Resistivity of boron and phosphorus doped polycrystalline Si1−<i>x</i>Ge<i>x</i> films
• 著者標目: David S. Bang; Min Cao; Albert Wang; Krishna C. Saraswat; Tsu-Jae King
• 出版年月日等: 1995-01-09
• 出版年（W3CDTF）: 1995-01-09
• タイトル（掲載誌）: Applied Physics Letters
• 巻号年月日等（掲載誌）: 66 2
• 掲載巻: 66
• 掲載号: 2
• 掲載ページ: 195-197
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1995-01-09
• ISSN（掲載誌）: 00036951
• 出版事項（掲載誌）: AIP Publishing
• 件名標目: Physics and Astronomy (miscellaneous)
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1063/1.113132
• 作成日（W3CDTF）: 2002-07-26
• 関連情報（URI）: https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/66/2/195/18509130/195_1_online.pdf
• 参照: Ni-Salicided Poly-Si/poly-SiGe-Layered Gate Technology for 65-nm-node CMOSFETs; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390001206263548160
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research
• 提供元機関・データベース: Crossref; https://www.crossref.org

• 要約等: <jats:p>Sheet resistance, Hall mobility, and effective carrier concentration as a function of annealing parameters for boron or phosphorus ion implant...