Diffusion and doping issues in germanium
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 出版年月日等
- 2011-04
- 出版年（W3CDTF）
- 2011-04
- タイトル（掲載誌）
- Microelectronic Engineering
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 88 4
- 掲載巻
- 88
- 掲載号
- 4
- 掲載ページ
- 452-457
- 掲載年月日（W3CDTF）
- 2011-04
- ISSN（掲載誌）
- 01679317
- 出版事項（掲載誌）
- Elsevier BV
- 対象利用者
- 一般
- DOI
- 10.1016/j.mee.2010.10.013
- 作成日（W3CDTF）
- 2010-10-11
- 著作権情報
- https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
- 関連情報（URI）
- 参照
- Systematic Density Functional Theory Investigation of Stability of Dopant Atoms in Ge Ultra-Thin Film Grown on Si SubstrateReview—Properties of Intrinsic Point Defects in Si and Ge Assessed by Density Functional Theory
- 連携機関・データベース
- 国立情報学研究所 : CiNii Research
- 提供元機関・データベース
- CrossrefCrossrefCrossref