完全CMOSプロセスを用いたバイポーラ搭載高速キャッシュSRAM製造プロセスの開発

• 資料種別: 記事
• タイトル: 完全CMOSプロセスを用いたバイポーラ搭載高速キャッシュSRAM製造プロセスの開発
• 著者標目: 石丸 一成; 高橋 稔; 西郡 正人; 岡山 康則; 海野 ゆかり; 松岡 史倫; 各務 正一
• 出版年月日等: 1996-07-19
• 出版年（W3CDTF）: 1996-07-19
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
• 巻号年月日等（掲載誌）: 96 152
• 掲載巻: 96
• 掲載号: 152
• 掲載ページ: 1-7
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1996-07-19
• 出版事項（掲載誌）: 一般社団法人電子情報通信学会
• 本文の言語コード: en
• 件名標目: STI; 6T SRAM; バイポーラ; CMOS; 高加速イオン注入; bipolar; high energy ion implantation
• 対象利用者: 一般
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: CiNii Articles
• NII論文ID: 110003309638

• 要約等: 6T CMOS-SRAMの製造プロセスに、一切の工程を付加することなく2層polyの自己整合型バイポーラトランジスタを作り込むことに成功した。コレクタ領域は、高加速イオン注入法を用いてCMOSのnwellと同時に形成した。本プロセスにより作成したバイボーラトランジスタをSRAMのセンスアンプ回路に用...