不揮発性強誘電体メモリにおけるプレート線駆動方式

• 資料種別: 記事
• タイトル: 不揮発性強誘電体メモリにおけるプレート線駆動方式
• 著者標目: 小林; 木村 亨
• 出版年月日等: 1994
• 出版年（W3CDTF）: 1994
• タイトル（掲載誌）: 1994年電子情報通信学会秋季大会
• 掲載ページ: 190-
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1994
• 出版事項（掲載誌）: 一般社団法人電子情報通信学会
• 本文の言語コード: ja
• 対象利用者: 一般
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: CiNii Articles
• NII論文ID: 110003338890

• 要約等: 近年、強誘電体材料を用いたメモリデバイス(NVFRAM,Non-Volatile Ferroelectric Random Access Memory)の研究が活発化している。強誘電体材料の持つ双安定状態を、それぞれデータ"0","1"に対応させることにより、電源を切断しても記憶を保持する、いわゆる...