窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)

• 資料種別: 記事
• タイトル: 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
• 著者標目: 飯田 晋; 早川 泰弘; https://orcid.org/0000-0002-0168-7145; 小山 忠信; 熊川 征司
• 出版年月日等: 1998-05-21
• 出版年（W3CDTF）: 1998-05-21
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料
• 巻号年月日等（掲載誌）: 98 61
• 掲載巻: 98
• 掲載号: 61
• 掲載ページ: 15-22
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1998-05-21
• 出版事項（掲載誌）: 一般社団法人電子情報通信学会
• 本文の言語コード: ja
• 件名標目: 液相成長法; 窒化シリコン膜; インジウムガリウムひ素; ブリッジ; 溝; フォトルミネッセンス; LPE; SiN_x film; InGaAs; bridge layers; trench; photoluminescence
• 対象利用者: 一般
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: CiNii Articles
• NII論文ID: 110003199192

• 要約等: SiN_x膜で覆ったGaAs(111)B基板に円形の窓を開け、さらに溝を形成した基板上に成長させたInGaAsの結晶性を顕微フォトルミネッサンス(PL)で測定した。その結果SiN_x膜上の横方向成長層と溝内部のブリッジ状の成長層のPL半値幅が狭くピーク強度が強いことが分かった。また、GaAs(111...