界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性

• Material Type: 記事
• Title: 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性
• Author/Editor: 鈴木 恒晴; 朴 錘爀; 黒澤 昌志 他
• Series Title: 有機エレクトロニクス
• Author Heading: 鈴木 恒晴; 朴 錘爀; 黒澤 昌志
• Alternative Title: Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer Exchange Crystallization with Interfacial Oxide Layer
• Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• No. or year of volume/issue: 112(19):2012.4.27・28
• Volume: 112
• Issue: 19
• Pages: 71-73
• Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2012-04
• ISSN (Periodical Title): 0913-5685
• ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
• Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 金属誘起層交換成長; 界面酸化膜; 方位制御成長; Metal-Induced Layer Exchange Crystallization; Interfacial Oxide layer; Orientation Control
• NDLC: ZN33
• Target Audience: 一般
• Report No. (Article): OME2012-16
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z16-940
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 023620286; http://id.ndl.go.jp/bib/023620286
• Bibliographic Record Category (NDL): 632