大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長 (レーザ・量子エレクトロニクス)

Icons representing 記事

大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長

(レーザ・量子エレクトロニクス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
024150715
Material type
記事
Author
徳永 裕樹ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2012-11
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(329):2012.11.29・30
Publication Page
p.17-20
View All

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Paper

Material Type
記事
Author/Editor
徳永 裕樹
生方 映徳
矢野 良樹 他
Alternative Title
High growth rate AlN and AlGaN on large diameter Si substrate(6inch & 8inch)
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
112(329):2012.11.29・30
Volume
112
Issue
329