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ランダム・テレグラフ・ノイズが低電圧CMOS論理回路の遅延ゆらぎに及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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ランダム・テレグラフ・ノイズが低電圧CMOS論理回路の遅延ゆらぎに及ぼす影響

(シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
024262959
Material type
記事
Author
松本 高士ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2013-01-30
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(421):2013.1.30
Publication Page
p.27-30
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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
松本 高士
小林 和淑
小野寺 秀俊
Alternative Title
Impact of Random Telegraph Noise on CMOS Logic Delay Uncertainty under Low Voltage Operation
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
112(421):2013.1.30
Volume
112
Issue
421