Help
Help
雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number112巻421号 2013年1月30日
Articleランダムテレグラフノ...

ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

Icons representing 記事

ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響

(シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
024262996
Material type
記事
Author
三木 浩史ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2013-01-30
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(421):2013.1.30
Publication Page
p.31-34
View All

Holdings of Libraries in Japan

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

List of Cooperating Institutions and Databases

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

  • CiNii Research

    Search Service
    You can check the holdings of institutions and databases with which CiNii Research is linked at the site of CiNii Research.
    Check the holdings of this book

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Paper

Material Type
記事
Title
ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響
Author/Editor
三木 浩史
手賀 直樹
山岡 雅直 他
Series Title
シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
Author Heading
三木 浩史
手賀 直樹
山岡 雅直
Alternative Title
Statistical Analysis of Random Telegraph Noise (RTN) and its Impact on Variation in Threshold Voltage of Highly Scaled MOSFET
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
112(421):2013.1.30
Volume
112
Issue
421