多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT (電子デバイス)

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多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT

(電子デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
024263021
Material type
記事
Author
吉田 智洋ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2013-01
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(380):2013.1.17・18
Publication Page
p.79-84
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
吉田 智洋
小林 健悟
尾辻 泰一 他
Series Title
Alternative Title
InGaAs HEMTs with T-gate electrodes formed by multi-layer SiCN molds
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
112(380):2013.1.17・18
Volume
112
Issue
380