Siショットキーバリ...

Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 (マイクロ波)

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Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作

(マイクロ波)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
024263699
Material type
記事
Author
宇治田 信二ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2013-01
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(381):2013.1.17・18
Publication Page
p.53-56
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
宇治田 信二
森田 竜夫
梅田 英和 他
Series Title
Alternative Title
GaN Gate Injection Transistor with Integrated Si Schottky Barrier Diode for Highly Efficient DC-DC Converters
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
112(381):2013.1.17・18
Volume
112
Issue
381