Formation of laterally-graded Ge based hetero-structure

• Material Type: 記事
• Title: Formation of laterally-graded Ge based hetero-structure
• Author/Editor: 松村 亮; 佐道 泰造; 宮尾 正信
• Series Title: 有機エレクトロニクス
• Author Heading: 松村 亮; 佐道 泰造; 宮尾 正信
• Alternative Title: 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成 ヨウユウホウ ニ ヨル ヨコホウコウ ソセイ ケイシャガタ Geケイ ヘテロ コウゾウ ノ ケイセイ
• Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• No. or year of volume/issue: 113(18):2013.4.25・26
• Volume: 113
• Issue: 18
• Pages: 17-23
• Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2013-04
• ISSN (Periodical Title): 0913-5685
• ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
• Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• Subject Heading: SiGe on insulator; 溶融成長法; Si偏析現象; 横方向組成傾斜; Scheil式; rapid-melting growth; Si segregation; laterally graded profile; Scheil equation
• NDLC: ZN33
• Target Audience: 一般
• Report No. (Article): OME2013-5
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z16-940
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 024467537; http://id.ndl.go.jp/bib/024467537
• Bibliographic Record Category (NDL): 632