熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 (シリコン材料・デバイス)

熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術

(シリコン材料・デバイス)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87):2013.6.18

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

CiNii Research
Search Service
You can check the holdings of institutions and databases with which CiNii Research is linked at the site of CiNii Research.
Check the holdings of this book

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Material Type: 記事
Title: 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術
Author/Editor: 渡部平司
チャンタパンアタウット
中野佑紀他
Series Title: シリコン材料・デバイス
Author Heading: 渡部平司
チャンタパンアタウット
中野佑紀
Alternative Title: Unusual Generation and Elimination of Mobile Ions in Thermally Grown Oxides in SiC-MOS Devices
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 113(87):2013.6.18
Volume: 113
Issue: 87
Pages: 87-90
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2013-06-18
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: シリコンカーバイド
MOSデバイス
熱酸化膜
可動イオン
水素アニール
Silicon carbide
MOS device
Thermal oxide
Mobile ion
Hydrogen annealing
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): SDM2013-61
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 024683281
http://id.ndl.go.jp/bib/024683281
Bibliographic Record Category (NDL): 632