有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 (電子デバイス)

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有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定

(電子デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
025087279
Material type
記事
Author
桒田 宗一郎ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2013-11
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(329):2013.11.28・29
Publication Page
p.67-70
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
桒田 宗一郎
小泉 淳
藤原 康文
Series Title
Alternative Title
Deep-level transient spectroscopy study on defect levels in Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
113(329):2013.11.28・29
Volume
113
Issue
329