Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET (マイクロ波)

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Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET

(マイクロ波)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
025277499
Material type
記事
Author
東脇 正高ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2014-01
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(379):2014.1.16・17
Publication Page
p.35-39
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
東脇 正高
佐々木 公平
ワン マンホイ 他
Series Title
Alternative Title
Depletion-mode gallium oxide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by using Si-ion implantation
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
113(379):2014.1.16・17
Volume
113
Issue
379