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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number113(416)-113(420):2014.1.28-2014.1.29
ArticleP/N駆動力バランス...

P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 (シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制

(シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
025278749
Material type
記事
Author
槇山 秀樹ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2014-01-29
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420):2014.1.29
Publication Page
p.35-38
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Paper

Material Type
記事
Title
P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制
Author/Editor
槇山 秀樹
山本 芳樹
篠原 博文 他
Series Title
シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
Author Heading
槇山 秀樹
山本 芳樹
篠原 博文
Alternative Title
Suppression of Die-to-Die Delay Variability of Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) CMOS Circuits by Balanced P/N Drivability Control with Back-Bias for Ultralow-Voltage (0.4V) Operation
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
113(420):2014.1.29
Volume
113
Issue
420