フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 (シリコン材料・デバイス)

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フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
025447340
Material type
記事
Author
朴 鍾爀ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2014-04
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(1):2014.4.10・11
Publication Page
p.17-20
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
朴 鍾爀
宮尾 正信
佐道 泰造
Alternative Title
Formation of quasi-single crystal Ge on plastic by Au-induced layer-exchange growth
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
114(1):2014.4.10・11
Volume
114
Issue
1