雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number114(90)-114(99):2014.6.19-2014.6.20
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溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 : 中間層挿入と熱処理 (機構デバイス 材料デバイスサマーミーティング)

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溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 : 中間層挿入と熱処理

(機構デバイス 材料デバイスサマーミーティング)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
025590597
Material type
記事
Author
寺迫 智昭ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2014-06-20
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(94):2014.6.20
Publication Page
p.61-66
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 : 中間層挿入と熱処理
Author/Editor
寺迫 智昭
村上 聡宏
兵頭 篤 他
Series Title
機構デバイス 材料デバイスサマーミーティング
Author Heading
寺迫 智昭
村上 聡宏
兵頭 篤
Alternative Title
Improvement of Electrical Properties of n-ZnO/p-CuO Heterojunctions Prepared by Chemical Bath Deposition : Insertion of Intermediate Layer and Thermal Annealing
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
114(94):2014.6.20
Volume
114
Issue
94