Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 (電子ディスプレイ)

Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性

(電子ディスプレイ)

Journal name: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(359):2014.12.12

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Material Type: 記事
Title: Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性
Author/Editor: 結城広登
矢野裕司
Series Title: 電子ディスプレイ
Author Heading: 結城広登
矢野裕司
Alternative Title: Frequency Dependence of Split C-V Characteristics in Si-face 4H-SiC n-MOSFETs
Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue: 114(359):2014.12.12
Volume: 114
Issue: 359
Pages: 103-107
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2014-12-12
ISSN (Periodical Title): 0913-5685
ISSN-L (Periodical Title): 0913-5685
Publication (Periodical Title): 東京 : 電子情報通信学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 4H-SiC
MOS
POCl₃アニール
Split C-V
POCl₃-anneal
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): EID2014-33
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z16-940
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 026034655
http://id.ndl.go.jp/bib/026034655
Bibliographic Record Category (NDL): 632