4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 (シリコン材料・デバイス)

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4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
026035399
Material type
記事
Author
浅田 聡志ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2014-12-12
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360):2014.12.12
Publication Page
p.115-118
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
浅田 聡志
奥田 貴史
木本 恒暢 他
Alternative Title
Temperature Dependence of Current Gain in 4H-SiC BJTs
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
114(360):2014.12.12
Volume
114
Issue
360