表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 (シリコン材料・デバイス)

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表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
026493131
Material type
記事
Author
浦上 法之ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2015-05
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(65):2015.5.28・29
Publication Page
p.21-26
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
浦上 法之
山根 啓輔
関口 寛人 他
Alternative Title
Control of N composition of GaAsN alloy grown by surface nitridation
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
115(65):2015.5.28・29
Volume
115
Issue
65