高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製 (シリコン材料・デバイス)

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高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
027036934
Material type
記事
Author
小尻 尚志ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2015-12-14
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(363):2015.12.14
Publication Page
p.1-4
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
小尻 尚志
諏訪 智之
橋本 圭市 他
Alternative Title
Fabrication of FinFET Structure with High Selectivity Etching Using Newly Developed SiNx Etch Gas
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
115(363):2015.12.14
Volume
115
Issue
363