3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現

• Material Type: 記事
• Title: 3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現
• Author/Editor: 濱田 憲治; 日野 史郎; 渡邊 寛; 中田 修平; 山川 聡; 末川 英介; 海老池 勇史; 今泉 昌之; 梅嵜 勲
• Series Title: 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
• Author Heading: 濱田 憲治; 日野 史郎; 渡邊 寛; 中田 修平; 山川 聡; 末川 英介; 海老池 勇史; 今泉 昌之; 梅嵜 勲
• Alternative Title: Low On-resistance SiC-MOSFET with Blocking Voltage of 3.3 kV and Realization of the World's First All-SiC Traction Inverter
• Periodical title: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
• No. or year of volume/issue: 2016(36-45):2016.3.28・29
• Volume: 2016
• Issue: 36-45
• Pages: 23-28
• Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2016-03
• Publication (Periodical Title): 東京 : 電気学会
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 3.3kV; 4H-SiC; MOSFET; インバータ; inverter
• NDLC: ZN33
• Target Audience: 一般
• Report No. (Article): EDD-16-040
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z43-225
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 027732859; http://id.ndl.go.jp/bib/027732859
• Bibliographic Record Category (NDL): 632