高耐圧ディスプレッシ...

高耐圧ディスプレッション型フィールドプレートGa₂O₃ MOSFET (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

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高耐圧ディスプレッション型フィールドプレートGa₂O₃ MOSFET

(電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

Call No. (NDL)
Z43-225
Bibliographic ID of National Diet Library
027732892
Material type
記事
Author
ワン マンホイほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2016-03
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2016(36-45):2016.3.28・29
Publication Page
p.29-33
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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
ワン マンホイ
東脇 正高
佐々木 公平
倉又 朗人
山腰 茂伸
Alternative Title
High-Breakdown Depletion-Mode Ga₂O₃ MOSFETs with Field Plate
Periodical title
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2016(36-45):2016.3.28・29
Volume
2016
Issue
36-45