平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

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平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術(電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

Call No. (NDL)
Z43-225
Bibliographic ID of National Diet Library
027784079
Material type
記事
Author
金田 寛ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2016-11-15
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2016(63-77):2016.11.15
Publication Page
p.61-64
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Paper Digital

Material Type
記事
Author/Editor
金田 寛
大村 一郎
Alternative Title
Dual laser beam technique to evaluate bulk lifetime of free carriers in silicon wafers
Periodical title
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2016(63-77):2016.11.15
Volume
2016
Issue
63-77