分子動力学法を用いた2元系Ⅳ-Ⅳ族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測 (シリコン材料・デバイス)

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分子動力学法を用いた2元系Ⅳ-Ⅳ族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
028040118
Material type
記事
Author
富田 基裕ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2017-02-24
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(472):2017.2.24
Publication Page
p.61-66
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
富田 基裕
小椋 厚志
渡邉 孝信
Alternative Title
Reproduce and Prediction of Phonon in Group Ⅳ Binary Alloy Semiconductors by Lattice Dynamics Simulation
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
116(472):2017.2.24
Volume
116
Issue
472