Jump to main content
Volume number34:2017.10.31-11.2
不純物濃度によるエッ...

不純物濃度によるエッチング速度の違いを利用したシリコン3次元構造体の作製

Icons representing 記事

不純物濃度によるエッチング速度の違いを利用したシリコン3次元構造体の作製

Call No. (NDL)
YH247-299
Bibliographic ID of National Diet Library
028683205
Material type
記事
Author
田村 宣通ほか
Publisher
[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan
Publication date
2017
Material Format
Recording Media
Journal name
「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集 電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 34:2017.10.31-11.2
Publication Page
p.1-3
View All

Holdings of Libraries in Japan

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

  • CiNii Research

    Search Service
    Paper
    You can check the holdings of institutions and databases with which CiNii Research is linked at the site of CiNii Research.

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Recording Media

Material Type
記事
Author/Editor
田村 宣通
安藤 妙子
Alternative Title
Fabrication of Si 3D-structure using dependence of etching rate on impurity concentration
Periodical title
「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集 電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編]
No. or year of volume/issue
34:2017.10.31-11.2
Volume
34
Pages
1-3
Publication date of volume/issue (W3CDTF)
2017