SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価

(電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

Journal name: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017(52-65・67-73):2017.11.20

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Material Type: 記事
Title: SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価
Author/Editor: 大嶋俊之
大橋輝之
池田健太郎
飯島良介
高尾和人
Series Title: 電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
Author Heading: 大嶋俊之
大橋輝之
池田健太郎
飯島良介
高尾和人
Alternative Title: Evaluation of the trade-off between specific on-resistance and short-circuit ruggedness of SiC-MOSFETs
Periodical title: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
No. or year of volume/issue: 2017(52-65・67-73):2017.11.20
Volume: 2017
Issue: 52-65・67-73
Pages: 19-22
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2017-11-20
Publication (Periodical Title): 東京 : 電気学会
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: SiC-MOSFET
短絡耐量
Short-circuit ruggedness
NDLC: ZN33
Target Audience: 一般
Report No. (Article): EDD-17-55
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Z43-225
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 028711687
http://id.ndl.go.jp/bib/028711687
Bibliographic Record Category (NDL): 632