雑誌電気学会研究会資料 EDD
Volume number2017(1)-2018(70):2017.1.26-2018.11.2 (欠番2017(66),2018(8,18,21,53))
Article5000V SiC双...

5000V SiC双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

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5000V SiC双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測

(電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

Call No. (NDL)
Z43-225
Bibliographic ID of National Diet Library
028711691
Material type
記事
Author
北川 光彦
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2017-11-20
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017(52-65・67-73):2017.11.20
Publication Page
p.23-28
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Paper

Material Type
記事
Title
5000V SiC双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測
Author/Editor
北川 光彦
Series Title
電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
Author Heading
北川 光彦
Alternative Title
Predicted Electrical Characteristics of a new SiC bi-directional super-junction (SJ) MOSFET structure (SBSM)
Periodical title
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2017(52-65・67-73):2017.11.20
Volume
2017
Issue
52-65・67-73