化学的気相堆積法を用いたSiCトレンチ埋込みのトポグラフィー・シミュレーション (電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

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化学的気相堆積法を用いたSiCトレンチ埋込みのトポグラフィー・シミュレーション

(電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

Call No. (NDL)
Z43-225
Bibliographic ID of National Diet Library
028999369
Material type
記事
Author
望月 和浩ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2018-03
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2018(32-42):2018.3.26・27
Publication Page
p.17-22
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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
望月 和浩
紀 世陽
小杉 亮治
米澤 喜幸
奥村 元
Alternative Title
Topography Simulation of SiC-Chemical-Vapor-Deposition Trench Filling
Periodical title
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2018(32-42):2018.3.26・27
Volume
2018
Issue
32-42