雑誌電気学会研究会資料 EDD
Volume number2017(1)-2018(70):2017.1.26-2018.11.2 (欠番2017(66),2018(8,18,21,53))
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All-SiCモジュールの高耐圧化と低インダクタンス化 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

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All-SiCモジュールの高耐圧化と低インダクタンス化

(電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

Call No. (NDL)
Z43-225
Bibliographic ID of National Diet Library
029390918
Material type
記事
Author
堀 元人ほか
Publisher
東京 : 電気学会
Publication date
2018-11-01
Material Format
Paper
Journal name
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2018(49-52・54-60):2018.11.1
Publication Page
p.5-8
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Paper

Material Type
記事
Title
All-SiCモジュールの高耐圧化と低インダクタンス化
Author/Editor
堀 元人
日向 祐一朗
谷口 克己
池田 良成
山崎 智幸
Series Title
電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
Author Heading
堀 元人
日向 祐一朗
谷口 克己
池田 良成
山崎 智幸
Alternative Title
Enhanced Breakdown Voltage and Low Inductance of All-SiC Module
Periodical title
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
No. or year of volume/issue
2018(49-52・54-60):2018.11.1
Volume
2018
Issue
49-52・54-60