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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
Volume number118(357)-118(381):2018.12.13-2018.12.27 (Web掲載118(358-360),118(362-364),118(366-367),118(371-372),118(375),118(377-378))
ArticleGa-Sn-O薄膜を...

Ga-Sn-O薄膜を用いた二層構造抵抗変化型メモリの開発 (電子ディスプレイ)

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Ga-Sn-O薄膜を用いた二層構造抵抗変化型メモリの開発

(電子ディスプレイ)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
029437781
Material type
記事
Author
倉﨑 彩太ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2018-12-25
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(379):2018.12.25
Publication Page
p.9-12
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Title
Ga-Sn-O薄膜を用いた二層構造抵抗変化型メモリの開発
Author/Editor
倉﨑 彩太
杉崎 澄生
田中 遼
木村 睦
Series Title
電子ディスプレイ
Author Heading
倉﨑 彩太
杉崎 澄生
田中 遼
木村 睦
Alternative Title
Development of two-layered ReRAM using Ga-Sn-O thin film
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
118(379):2018.12.25
Volume
118
Issue
379